【納米集成電路FinFET器件物理與模型】

編輯推薦

適讀人群 ：半導體與集成電路領域工程技術人員，微電子、集成電路、電子技術等專業學生

1）作者為IEEE會士、Prospicient Devices首席研究科學家，《納米集成電路FinFET器件物理與模型》是作者30多年工業經驗和20多年教學經驗的結晶。

2）芯片製造經典著作，FinFET是繼續縮小和製造集成電路的首*xuan器件。

3）《納米集成電路FinFET器件物理與模型》介紹了FinFET器件和技術的基本理論和工作原理，概述了FinFET器件結構和製造工藝，並給出了用於集成電路設計和製造的FinFET器件特性的詳細公式。

4）《納米集成電路FinFET器件物理與模型》內容詳實，器件物理概念清晰，數學推導詳盡嚴謹，即使不太熟悉半導體物理的人員也能輕易理解FinFET概念。

內容簡介

集成電路已進入納米世代，為了應對集成電路持續縮小面臨的挑戰，鰭式場效應晶體管（FinFET）應運而生，它是繼續縮小和製造集成電路的有效替代方案。 《納米集成電路FinFET器件物理與模型》講解FinFET器件電子學，介紹FinFET器件的結構、工作原理和模型等。

《納米集成電路FinFET器件物理與模型》主要內容有：主流MOSFET在22nm節點以下由於短溝道效應所帶來的縮小限制概述；基本半導體電子學和pn結工作原理；多柵MOS電容器系統的基本結構和工作原理；非平面CMOS工藝中的FinFET器件結構和工藝技術；FinFET基本理論；FinFET小尺寸效應；FinFET洩漏電流；FinFET寄生電阻和寄生電容；FinFET工藝、器件和電路設計面臨的主要挑戰；FinFET器件緊湊模型。

《納米集成電路FinFET器件物理與模型》內容詳實，器件物理概念清晰，數學推導詳盡嚴謹。 《納米集成電路FinFET器件物理與模型》可作為高等院校微電子學與固體電子學、電子科學與技術、集成電路科學與工程等專業的高年級本科生和研究生的教材和參考書，也可供相關領域的工程技術人員參考。

作者簡介

薩馬·K.薩哈（Samar K.Saha）從印度Gauhati大學獲得物理學博士學位，在美國斯坦福大學獲得工程管理碩士學位。目前，他是加利福尼亞州聖塔克拉拉大學電氣工程系的兼職教授，也是Pros-picient Devices的首席研究科學家。自1984年以來，他在美國國家半導體、LSI邏輯、德州儀器、飛利浦半導體、Silicon Storage Technology、新思、DSM Solutions、Silterra USA和Su-Volta擔任各種技術和管理職位。他還曾在南伊利諾伊大學卡本代爾分校、奧本大學、內華達大學拉斯維加斯分校以及科羅拉多大學科羅拉多泉分校擔任教員。他撰寫了100多篇研究論文。他還撰寫了一本書Compact Models for Integrated Circuit Design: Conventional Transistors and Beyond（CRC出版社，2015年）；撰寫了關於TCAD的書Technology Computer Aided Design: Simulation for VLSI MOSFET（C.K.Sarkar主編，CRC出版社，2013年）中的一章“Introduction to Technology Computer-Aided Design”；擁有12項美國專利。他的研究興趣包括納米器件和工藝體系結構、TCAD、緊湊型建模、可再生能源器件、TCAD和研發管理。

Saha博士曾擔任美國電氣電子工程師學會（IEEE）電子器件分會（EDS）2016～2017年會長，目前擔任EDS高級前任會長、J.J.Ebers獎委員會主席和EDS評審委員會主席。他是美國電氣電子工程師學會（IEEE）會士、英國工程技術學會（IET）會士、IEEEEDS傑出講師。此前，他曾擔任EDS的前任初級會長；EDS頒獎主席；EDS評審委員會成員；EDS當選會長；EDS出版部副總裁；EDS理事會的當選成員；IEEEQuestEDS主編；EDS George Smith和Paul Rappaport獎主席；5區和6區EDS通訊編輯；EDS緊湊模型技術委員會主席；EDS北美西部區域/分會小組委員會主席；IEEE會議出版委員會成員；IEEETAB期刊委員會成員；聖克拉拉谷舊金山EDS分會財務主管、副主席、主席。

目錄

譯者序

前言

作者簡介

第1章 概述

1.1 鰭式場效應晶體管（FinFET）

1.2 集成電路製造中的MOSFET器件概況

1.2.1 納米級MOSFET縮小的挑戰

1.2.1.1 短溝道MOSFET中的洩漏電流

1.2.1.2 MOSFET性能波動

1.2.2 MOSFET縮小難題的物理機理

1.3 替代器件概念

1.3.1 無摻雜或輕摻雜溝道MOSFET

1.3.1.1 深耗盡溝道MOSFET

1.3.1.2 埋暈MOSFET

1.3.2 薄體場效應晶體管

1.3.2.1 單柵超薄體場效應晶體管

1.3.2.2 多柵場效應晶體管

1.4 VLSI電路和系統中的FinFET器件

1.5 FinFET器件簡史

1.6 小結

參考文獻

第2章 半導體物理基礎

2.1 簡介

2.2 半導體物理

2.2.1 能帶模型

2.2.2 載流子統計

2.2.3 本徵半導體

2.2.3.1 本徵載流子濃度

2.2.3.2 電子和空穴的有效質量

2.2.4 非本徵半導體

2.2.4.1 非本徵半導體中的費米能級

2.2.4.2 簡併摻雜半導體中的費米能級

2.2.4.3 半導體中的靜電勢和載流子濃度

2.2.4.4 準費米能級

2.2.5 半導體中的載流子輸運

2.2.5.1 載流子漂移：載流子在電場中的運動

2.2.5.2 載流子擴散

2.2.6 載流子的產生-複合

2.2.6.1 注入水平

2.2.6.2 複合過程

2.2.7 半導體基本方程

2.2.7.1 泊松方程

2.2.7.2 傳輸方程

2.2.7.3 連續性方程

2.3 n型和p型半導體接觸理論

2.3.1 pn結的基本特徵

2.3.2 內建電勢差

2.3.3 突變結

2.3.3.1 靜電學

2.3.4 外加偏壓下的pn結

2.3.4.1 單邊突變結

2.3.5 pn結上的載流子輸運

2.3.5.1 少數載流子濃度與結電勢的關係

2.3.6 pn結I-V特性

2.3.6.1 pn結洩漏電流的溫度依賴性

2.3.6.2 pn結電流方程的局限性

2.3.6.3 體電阻

2.3.6.4 結擊穿電壓

2.3.7 pn結動態特性

2.3.7.1 結電容

2.3.7.2 擴散電容

2.3.7.3 小信號電導

2.3.8 pn結等效電路

2.4 小結

參考文獻

第3章 多柵金屬-氧化物-半導體（MOS）系統

3.1 簡介

3.2 平衡態下多柵MOS電容器

3.2.1 孤立的金屬、氧化物和半導體材料的特性

3.2.1.1 功函數

3.2.2 接觸形成MOS系統中的金屬、氧化物和半導體材料

3.2.2.1 金屬柵功函數位於矽帶隙邊緣的MOS系統

3.2.2.2 金屬柵功函數位於矽帶隙中央的MOS系統

3.2.3 氧化層電荷

3.2.3.1 界面陷阱電荷

3.2.3.2 固定氧化層電荷

3.2.3.3 氧化層陷阱電荷

3.2.3.4 可動離子電荷

3.2.4 氧化層電荷對能帶結構的影響：平帶電壓

3.2.5 表面勢

3.3 外加偏壓下的MOS電容器

3.3.1 積累

3.3.2 耗盡

3.3.3 反型

3.4 多柵MOS電容器系統：數學分析

3.4.1 泊松方程

3.4.2 靜電勢和電荷分佈

3.4.2.1 半導體中的感生電荷

3.4.2.2 表面勢公式

3.4.2.3 閾值電壓

3.4.2.4 表面勢函數

3.4.2.5 反型電荷密度的統一表達式

3.5 量子力學效應

3.6 小結

參考文獻

第4章 FinFET器件工藝概述

4.1 簡介

4.2 FinFET製造工藝

4.3 體FinFET製造

4.3.1 起始材料

4.3.2 阱的形成

4.3.2.1 p阱的形成

4.3.2.2 n阱的形成

4.3.3 Fin圖形化：間隔層刻蝕技術

4.3.3.1 芯軸圖形化

4.3.3.2 氧化物間隔層形成

4.3.3.3 矽Fin形成

4.3.4 非傳統的阱形成工藝

4.3.5 柵極定義：多晶矽dummy柵形成

4.3.6 源漏延伸工藝

4.3.6.1 nFinFET源漏延伸形成

4.3.6.2 pFinFET源漏延伸形成

4.3.7 凸起源漏工藝

4.3.7.1 SiGepFinFET凸起源漏形成

4.3.7.2 SiCnFinFET凸起源漏形成

4.3.7.3 凸起源漏矽化

4.3.8 替代金屬柵形成

4.3.8.1 多晶矽dummy柵去除

4.3.8.2 高k柵介質澱積

4.3.8.3 金屬柵形成

4.3.9 自對準接觸形成

4.3.9.1 金屬化

4.4 SOI-FinFET工藝流程

4.4.1 起始材料

4.4.2 Fin圖形化：間隔層刻蝕技術

4.4.2.1 芯軸圖形化

4.4.2.2 氧化物間隔層形成

4.4.2.3 矽Fin形成

4.4.3 體矽FinFET與SOI-FinFET製造工藝比較

4.5 小結

參考文獻

第5章 大尺寸FinFET器件工作原理

5.1 簡介

5.2 FinFET器件的基本特徵

5.3 FinFET器件工作

5.4 漏極電流公式

5.4.1 靜電勢的推導

5.4.2 對稱DG-FinFET的連續漏極電流方程

5.4.3 對稱DG-FinFET的區域漏極電流公式

5.4.3.1 閾值電壓公式

5.4.3.2 線性區Ids方程

5.4.3.3 飽

書摘插畫

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【氮化鎵功率晶體管 器件、電路與應用（原書第3版）】

編輯推薦

適讀人群 ：功率半導體技術研究的科研工作者、工程師，高等院校微電子科學與工程、集成電路科學與工程、電力電子技術專業師生

1）美國EPC公司CEO、國際整流器公司原CEO著作，全彩色印刷，理解GaN晶體管結構、特性和應用的實用指南。

2）系統全面介紹氮化鎵（GaN）技術及其應用的經典著作，獲得了國際上眾多知名專家的推薦。

3）第3版更新了35%的內容，包括散熱管理、多電平變換器、高諧振無線電源和激光雷達等新章節。

4）在使用GaN晶體管構建功率變換系統時，提供了有關特定電路的實用設計。

5）適合從事GaN功率半導體技術研究的科研工作者、工程師、高年級本科生和研究生使用，對於從事其他功率半導體技術的研究也具有借鑒意義。

內容簡介

《氮化鎵功率晶體管——器件、電路與應用（原書第3版）》共17章，第1章概述了氮化鎵（GaN）技術；第2章為GaN晶體管的器件物理；第3章介紹了GaN晶體管驅動特性；第4章介紹了GaN晶體管電路的版圖設計；第5章討論了GaN晶體管的建模和測量；第6章介紹了GaN晶體管的散熱管理；第7章介紹了硬開關技術；第8章介紹了軟開關技術和變換器；第9章介紹了GaN晶體管射頻性能；第10章介紹了DC-DC功率變換；第11章討論了多電平變換器設計；第12章介紹了D類音頻放大器；第13章介紹了GaN晶體管在激光雷達方面的應用；第14章介紹了包絡跟踪技術；第15章討論了高諧振無線電源；第16章討論了GaN晶體管的空間應用；第17章分析了GaN晶體管替代矽功率晶體管的原因。

《氮化鎵功率晶體管——器件、電路與應用（原書第3版）》適合作為從事GaN功率半導體技術研究的科研工作者、工程師、高年級本科生和研究生的參考書，也可以作為高等院校微電子科學與工程、集成電路科學與工程、電力電子技術專業的教材。

作者簡介

Alex Lidow博士，美國宜普電源轉換（EPC）公司CEO、國際整流器公司原CEO，獲得斯坦福大學博士學位。

Michael de Rooij博士，美國EPC公司應用工程副總裁，獲得約翰內斯堡大學博士學位。

Johan Strydom博士，美國德州儀器公司Kilby實驗室的高級開發經理，獲得約翰內斯堡大學博士學位。

David Reusch博士，美國VPT公司首席科學家，獲得弗吉尼亞理工大學博士學位。

John Glaser，美國EPC公司應用工程總監。

目錄

譯者序

原書前言

致謝

第1章 GaN技術概述1

1.1矽功率MOSFET（1976～2010年）1

1.2GaN基功率器件1

1.3GaN和SiC材料與硅材料的比較2

1.3.1禁帶寬度Eg3

1.3.2臨界電場Ecrit3

1.3.3導通電阻RDS（on）3

1.3.4二維電子氣4

1.4GaN晶體管的基本結構5

1.4.1凹槽柵增強型結構6

1.4.2注入柵增強型結構7

1.4.3pGaN柵增強型結構7

1.4.4混合增強型結構7

1.4.5GaN HEMT反嚮導通8

1.5GaN晶體管的製備9

1.5.1襯底材料的選擇9

1.5.2異質外延技術10

1.5.3晶圓處理11

1.5.4器件與外部的電氣連接12

1.6GaN集成電路13

1.7本章小結16

參考文獻16

第2章 GaN晶體管的電氣特性19

2.1引言19

2.2器件的額定值19

2.2.1漏源電壓19

2.3導通電阻RDS(on)23

2.4閾值電壓25

2.5電容和電荷27

2.6反向傳輸29

2.7本章小結31

參考文獻31

第3章 GaN晶體管的驅動特性33

3.1引言33

3.2柵極驅動電壓34

3.3柵極驅動電阻36

3.4用於柵極注入晶體管的電容電流式柵極驅動電路37

3.5dv/dt抗擾度39

3.5.1導通時dv/dt控制39

3.5.2互補器件導通39

3.6di/dt抗擾度42

3.6.1器件導通和共源電感42

3.6.2關斷狀態器件di/dt43

3.7自舉和浮動電源 43

3.8瞬態抗擾度46

3.9考慮高頻因素48

3.10增強型GaN晶體管的柵極驅動器48

3.11共源共柵、直接驅動和高壓配置49

3.11.1共源共柵器件49

3.11.2直接驅動器件51

3.11.3高壓配置51

3.12本章小結52

參考文獻52

第4章 GaN晶體管電路佈局56

4.1引言56

4.2減小寄生電感56

4.3常規功率迴路設計58

4.3.1橫向功率迴路設計58

4.3.2垂直功率迴路設計59

4.4功率迴路的優化59

4.4.1集成對於寄生效應的影響60

4.5並聯GaN晶體管61

4.5.1單開關應用中的並聯GaN晶體管61

4.5.2半橋應用中的並聯GaN晶體管64

4.6本章小結66

參考文獻67

第5章 GaN晶體管的建模和測量68

5.1引言68

5.2電學建模68

5.2.1建模基礎68

5.2.2基礎建模的局限性70

5.2.3電路模擬的局限性72

5.3GaN晶體管性能測量73

5.3.1電壓測量要求75

5.3.2探測和測量技術77

5.3.3測量未接地參考信號79

5.3.4電流測量要求80

5.4本章小結80

參考文獻81

第6章 散熱管理83

6.1引言83

6.2熱等效電路83

6.2.1引線框架封裝中的熱阻83

6.2.2芯片級封裝中的熱阻84

6.2.3結-環境熱阻85

6.2.4瞬態熱阻86

6.3使用散熱片提高散熱能力87

6.3.1散熱片和熱界面材料的選擇87

6.3.2用於底部冷卻的散熱片附件88

6.3.3用於多邊冷卻的散熱片附件89

6.4系統級熱分析90

6.4.1具有分立GaN晶體管的功率級熱模型90

6.4.2具有單片GaN集成電路的功率級熱模型92

6.4.3多相繫統的熱模型93

6.4.4溫度測量94

6.4.5實驗表徵96

6.4.6應用實例98

6.5本章小結101

參考文獻102

第7章 硬開關拓撲105

7.1引言105

7.2硬開關損耗分析105

7.2.1GaN晶體管的硬開關過程106

7.2.2輸出電容COSS損耗108

7.2.3導通重疊損耗110

7.2.4關斷重疊損耗116

7.2.5柵極電荷QG損耗118

7.2.6反嚮導通損耗PSD118

7.2.7反向恢復電荷QRR損耗123

7.2.8硬開關品質因數123

7.3寄生電感對硬開關損耗的影響124

7.3.1共源電感LCS的影響125

7.3.2功率迴路電感對器件損耗的影響126

7.4頻率對磁特性的影響129

7.4.1變壓器129

7.4.2電感130

7.5降壓變換器實例130

7.5.1與實驗測量值比較135

7.5.2考慮寄生電感136

7.6本章小結139

參考文獻139

第8章 諧振和軟開關變換器141

8.1引言141

8.2諧振與軟開關技術141

8.2.1零電壓開關和零電流開關141

8.2.2諧振DC-DC變換器142

8.2.3諧振網絡組合142

8.2.4諧振網絡工作原理143

8.2.5諧振開關單元144

8.2.6軟開關DC-DC變換器144

8.3諧振和軟開關應用中的關鍵器件參數145

8.3.1輸出電荷QOSS145

8.3.2通過製造商數據表確定輸出電荷145

8.3.3GaN晶體管和矽 MOSFET輸出電荷比較147

8.3.4柵極電荷QG148

8.3.5諧振和軟開關應用中柵極電荷的確定148

8.3.6GaN晶體管和矽MOSFET柵極電荷比較148

8.3.7GaN晶體管和矽 MOSFET性能指標比較149

8.4高頻諧振總線變換器實例150

8.4.1諧振GaN和矽總線變換器設計152

8.4.2GaN和矽器件比較153

8.4.3零電壓開關轉換153

8.4.4效率和功率損耗比較155

8.4.5器件進一步改進對性能的影響157

8.5本章小結158

參考文獻158

第9章 射頻性能160

9.1引言160

9.2射頻晶體管和開關晶體管的區別161

9.3射頻基礎知識162

9.4射頻晶體管指標163

9.4.1射頻晶體管高頻特性的確定164

9.4.2考慮散熱的脈衝測試165

9.4.3s參數分析166

9.5使用小信號s參數的放大器設計169

9.5.1條件穩定的雙邊晶體管放大器設計169

9.6放大器設計實例170

9.6.1匹配和偏置器的網絡設計172

9.6.2實驗驗證174

9.7本章小結176

參考文獻177

第10章 DC-DC功率變換179

10.1引言179

10.2非隔離DC-DC變換器179

10.2.1帶分立器件的12VIN-1.2VOUT降壓變換器179

10.2.212VIN-1VOUT單片半橋集成電路負載點模塊183

10.2.3更高頻12VIN單片半橋集成電路負載點模塊185

10.2.428VIN-3.3VOUT負載點模塊187

10.2.5大電流應用中帶並聯GaN晶體管的48VIN-12VOUT降壓變換器187

10...........

書摘插畫

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【半導體工程導論】

內容簡介

《半導體工程導論》第1章概述了半導體區別於其他固體的基本物理特性，這些特性是理解半導體器件工作原理的必要條件。第2章回顧了半導體材料，包括無機、化合物、有機半導體材料。同時，第2章也介紹了有代表性的絕緣體和導體的材料，它們是構成可以工作的半導體器件和電路所必不可少的組成部分。而這些器件和電路是在第3章概述的。第4章是關於半導體工藝的基礎知識，並且用通俗的語言討論了半導體製造中使用的方法、設備、工具和介質。在概述了半導體工藝技術之後，第5章討論了主流半導體製造工藝中涉及的各單步工藝。第6章簡要概述了半導體材料和工藝表徵的基本原理。

《半導體工程導論》適合半導體工程及相關領域的學生、研究人員和專業人士閱讀。

作者簡介

Jerzy Ruzyllo是美國賓夕法尼亞州立大學電氣工程與計算機科學學院的傑出名譽教授。他在1977年獲得博士學位後於1984年加入賓夕法尼亞州立大學，並在波蘭華沙理工大學任教。在他的職業生涯中，Ruzyllo博士積極參與半導體科學與工程領域的研究和教學。 Ruzyllo博士是美國電氣電子工程師學會 （IEEE）終身會士和美國電化學學會（ECS）會士。

目錄

前言

第1章 半導體特性

章節概述

1.1固體的導電性

1.1.1原子間的價鍵與導電性

1.1.2能帶結構與導電性

1.2載流子

1.2.1電子與空穴

1.2.2產生與復合過程

1.2.3載流子的運動

1.3半導體以及外界的影響

1.3.1半導體和電場以及磁場

1.3.2半導體和光

1.3.3半導體和溫度

1.4納米尺度半導體

關鍵詞

第2章 半導體材料

章節概述

2.1固體的晶體結構

2.1.1晶格

2.1.2 結構缺陷

2.2半導體材料系統的構成元素

2.2.1表面與界面

2.2.2薄膜

2.3無機半導體

2.3.1單質半導體

2.3.2化合物半導體

2.3.3納米無機半導體

2.4材料選擇標準

2.5有機半導體

2.6體單晶的形成

2.6.1CZ法生長單晶

2.6.2其他方法

2.7薄膜單晶的形成

2.7.1外延沉積

2.7.2晶格匹配和晶格失配的外延沉積

2.8襯底

2.8.1半導體襯底

2.8.2非半導體襯底

2.9薄膜絕緣體

2.9.1一般性質

2.9.2多用途薄膜絕緣體

2.9.3專用薄膜絕緣體

2.10薄膜導體

2.10.1金屬

2.10.2金屬合金

2.10.3非金屬導體

關鍵詞

第3章 半導體器件及其使用

章節概述

3.1半導體器件

3.2構建半導體器件

3.2.1歐姆接觸

3.2.2勢壘

3.3兩端器件：二極管

3.3.1二極管

3.3.2金屬-氧化物-半導體（MOS）電容器

3.4三端器件：晶體管

3.4.1晶體管概述

3.4.2晶體管種類

3.4.3MOSFET的工作原理

3.4.4互補金屬-氧化物-半導體（CMOS）

3.4.5MOSFET的發展

3.4.6薄膜晶體管（TFT）

3.5集成電路

3.6圖像顯示和圖像傳感器件

3.7微機電系統（MEMS）與傳感器

3.7.1MEMS/NEMS器件

3.7.2傳感器

3.8可穿戴及可植入半導體器件系統

關鍵詞

第4章 工藝技術

章節概述

4.1工藝角度看襯底

4.1.1晶圓襯底

4.1.2大面積襯底

4.1.3柔性襯底

4.1.4關於襯底的進一步討論

4.2液相（濕法）工藝

4.2.1水

4.2.2特殊化學試劑

4.2.3晶圓乾燥

4.3氣相（干法）工藝

4.3.1氣體

4.3.2真空

4.4半導體製造中的工藝

4.4.1熱處理工藝

4.4.2等離子體工藝

4.4.3電子和離子束工藝

4.4.4化學工藝

4.4.5光化學工藝

4.4.6化學機械工藝

4.5污染控制

4.5.1污染物

4.5.2潔淨環境

4.6工藝整合

關鍵詞

第5章 製造工藝

章節概述

5.1圖案定義方式

5.1.1自上而下工藝

5.1.2自下而上工藝

5.1.3圖案的剝離工藝

5.1.4機械掩模

5.1.5印刷和印章轉移

5.2自上而下工藝步驟

5.3表面處理

5.3.1表面清洗

5.3.2表面改性

5.4增材工藝

5.4.1增材工藝的特點

5.4.2氧化生長薄膜：熱氧化矽法

5.4.3物理氣相沉積（PVD）

5.4.4化學氣相沉積（CVD）

5.4.5物理液相沉積（PLD）

5.4.6電化學沉積（ECD）

5.4.73D打印

5.5平面圖案轉移

5.5.1平面圖案轉移技術的實現

5.5.2光刻

5.5.3光刻中的曝光技術及工具

5.5.4電子束光刻

5.6減材工藝

5.6.1刻蝕工藝的特點

5.6.2濕法刻蝕

5.6.3蒸氣刻蝕

5.6.4干法刻蝕

5.6.5去膠

5.7選擇性摻雜

5.7.1擴散摻雜

5.7.2離子注入摻雜

5.8接觸和互連工藝

5.8.1接觸

5.8.2互連

5.8.3大馬士革工藝（鑲嵌工藝）

5.9組裝和封裝工藝

5.9.1概述

5.9.2封裝工藝

5.9.3半導體封裝技術概況

關鍵詞

第6章 半導體材料與工藝表徵

章節概述

6.1目的

6.2方法

6.3應用舉例

關鍵詞

參考文獻

書摘插畫